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4常見問題
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　　在真空鍍膜層，包含鍍制晶態(tài)的金屬材料、半導體材料、導體和絕緣體等氫氧化物或化學物質(zhì)膜。盡管有機化學汽相堆積也選用緩解壓力、底壓或等離子技術(shù)等真空泵方式，但一般真空鍍膜就是指用物理學的方式 堆積塑料薄膜。真空鍍膜有三種方式，即揮發(fā)表層的鍍膜、磁控濺射表層的鍍膜和等離子噴涂。

　　揮發(fā)表層的真空鍍膜根據(jù)加溫揮發(fā)某類化學物質(zhì)使其堆積在固態(tài)表層，稱之為揮發(fā)表層的鍍膜。這類方式 最開始由M.法拉第于1857年明確提出，當代已變成常見表層的鍍膜技術(shù)性之一。


真空鍍膜


　　真空鍍膜的揮發(fā)化學物質(zhì)如金屬材料、化學物質(zhì)等放置鉗鍋內(nèi)或掛在熱絲上做為揮發(fā)源，待鍍產(chǎn)品工件，如金屬材料、瓷器、塑膠等襯底放置鉗鍋正前方。待系統(tǒng)軟件抽無上真空泵后，加溫鉗鍋使在其中的物

　　質(zhì)揮發(fā)


揮發(fā)化學物質(zhì)的分子或分子結(jié)構(gòu)以冷疑方法堆積在襯底表層。塑料薄膜薄厚可由百余埃至數(shù)μm。膜厚決策于揮發(fā)源的揮發(fā)速度和時間（或決策于放料量），并與源和基


　　片的間距相關(guān)

針對大規(guī)模表層的鍍膜，常選用轉(zhuǎn)動襯底或多揮發(fā)源的方法以確保膜層薄厚的勻稱性。從揮發(fā)源到襯底的間距應低于蒸汽分子結(jié)構(gòu)在殘留汽體中的平均自由程，


　　以防蒸汽分子結(jié)構(gòu)與殘氣分子結(jié)構(gòu)撞擊造成氧化作用。蒸汽分子結(jié)構(gòu)均值機械能約為0.1～0.2電子伏。

　　真空鍍膜的揮發(fā)源有三種種類


　?、匐娮杞z加熱源：用硅化物金屬材料如鎢、鉭做成舟箔或絮狀,通以電流量,加溫在它上邊的或放置鉗鍋中的揮發(fā)化學物質(zhì),電阻絲加熱源關(guān)鍵用以揮發(fā)Cd、Pb、Ag、Al、Cu、Cr、Au、Ni等原材料。

　?、诟哳l率電磁感應加熱源：用高頻率感應電動勢加溫鉗鍋和揮發(fā)化學物質(zhì)。

　?、垭x子束加溫源：適用揮發(fā)溫度較高（不少于2000[618-1]）的原材料，即用離子束負電子原材料使其揮發(fā)。
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